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比闪存多上千倍! 三星大规模生产eMRAM嵌入式磁

不久前,英特尔宣布准备大规模生产MRAM (磁阻随机存取存储器),这是一种结合RAM存储器和NAND闪存的新型非易失性存储介质。 断电后,它不会丢失数据,它的写入速度比闪存快几千倍。 它既可以用作内存,也可以用作硬盘,甚至两者都可以。。

与此同时,关键的一点是,它对制造过程的要求低,产量高得多,这可以更好地控制成本。 自然,成品的价格不会太离谱。。

现在,三星电子公司宣布,这是世界上第一次商业批量生产eMRAM (嵌入式磁阻存储器),它使用了一种有点“陈旧”的28纳米FD-SOI (绝缘层上完全耗尽的硅)成熟工艺,可广泛应用于MCU微控制器、物联网和人工智能领域。。

三星指出,基于放电存储操作的eFlash (嵌入式闪存)越来越难以进步。SLC、MLC、TLC、QLC和OLC都已经下降,变得越来越密集,但是寿命越来越短,主控制和算法必须做出越来越复杂的补偿。

EMRAM是一个很好的替代品,因为它是基于磁阻的存储,具有很好的可扩展性。它在非易失性、随机存取、寿命持久性等方面也远远优于传统RAM。

使用28纳米工艺大规模生产的成功进一步证明,三星已经克服了大规模生产eMRAM的技术困难,这一工艺根本不是问题。

三星表示,采用28纳米FD-SOI技术的eMRAM可以带来前所未有的能耗和速度优势。由于在写入数据之前不需要执行擦除循环,eMRAM的写入速度可以达到eFlash的大约1000倍,并且电压和功耗低得多,因此在待机状态下根本不需要功耗,因此能效极高。

此外,eMRAM可以很容易地嵌入到工艺的后端,并且只需要几个额外的层,因此前端工艺的要求非常低,并且通过使用现有的工艺生产线,包括体、鳍、FD-SOI晶体管,可以很容易地进行制造。

卫御家庭安防设备电子 三星还计划今年生产1Gb ( 128MB兆字节)的eMRAM芯片。

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